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存储器的展开取决于应用场景的变更，当下智能化时期的疾速展开对存储器提出了更高的请求，新型存储器疾速长大。目前新型存储器阻变存储器（Resistive Random Access Memory，ReRAM或RRAM）逐步遭到市场注重。 近日，英飞凌官方音讯称，其下一代Aurix微控制器将运用嵌入式非易失性存储器，特别是电阻式随机存取存储器（RRAM），而不是嵌入式闪存（eFlash），并将在台积电的28纳米节点上制造。 当前，英飞凌基于台积电28纳米eFlash技术的Autrix TC4x系列微控制器样品曾经托付给主要客户，其基于台积电28纳米RRAM技术的第一批样品将于2023年底提供给客户。英飞凌表示，Autrix TC4x系列微控制器专为ADAS而设计，可提供新的E/E架构和经济实惠的AI应用。 公开资料显现，嵌入式闪存微控制器自推出第一批发起机管理系统以来，就被用作汽车中的ECU，市场上大多数MCU系列都基于eFlash技术，但该技术不时在努力迁移到28纳米以下，并且业界以为其效率低于RRAM。英飞凌以为，与台积电的协作胜利奠定了RRAM在汽车范畴的基础，并使其Autrix系列微控制用具有更普遍的供给基础。 在新型存储器中，RRAM不只满足高读写速度和存储密度的请求，同时延迟可降低1000倍，可满足未来智能驾驶高实时数据吞吐量。保险性方面，RRAM具备牢靠性，未来有望呈现高性能、高集成度、高稳定性和低功耗的车规RRAM存储器。 英飞凌宣称，台积电提供的带有RRAM的Aurix微控制器将提供更高的抗扰度，并允许按位写入而无需擦除，从而完成优于嵌入式闪存的性能。英飞凌表示，循环耐力和数据保存与闪存相当。 台积电业务展开高级副总裁Kevin Zhang表示，台积电和英飞凌曾经在一系列不同应用中就RRAM技术中止了近十年的协作，将TC4x迁移到RRAM将为在微控制器减少到更小的节点方面开辟新的机遇。 目前，台积电的非易失性存储器处置计划包含闪存、自旋传送扭矩MRAM（STT-MRAM）和RRAM。该代工厂还在探求相变RAM（PCRAM）和自旋轨道扭矩MRAM（SOT-MRAM）技术。据悉，台积电2018年开端量产汽车用40纳米eFlash技术，但其40纳米超低功耗嵌入式RRAM技术，完整兼容CMOS工艺，已于2017年底进入风险消费。2021年，台积电代工厂的40纳米RRAM技术胜利进入量产，28纳米和22纳米节点也可作为物联网市场的低成本处置计划。 RRAM的最新研讨 目前，业界新型存储器主要有4种，相变存储器（PCM）、阻变存储器（ReRAM）、铁电存储器（FeRAM）、磁性存储器（MRAM）。从当前各类存储技术的展开水平和特性，RRAM有望成为闪存的替代品。 谈及RRAM的优势，有业界人士以为，RRAM能够将DRAM的读写速度与SSD的非易失性分离于一身，因而其具有了擦写速度高、耐久性强、单个存储单元能存储多位数据的优势，并且它的功耗极低。 Rambus Labs高级副总裁Gary Bronner就曾强调，RRAM的功耗比闪存低得多，可能是下一代MCU的一个关键差别化要素。此外，在2016年《Application study: RRAM for Low-Power Microcontrollers》论文曾指出，RRAM的一个可能应用范畴就是MCU中一切易失性存储器的备份存储器。 从RRAM细致动态看，RRAM代工工艺由台积电、华邦和格芯（Globalfoundries）提供支持，RRAM由瑞萨（经过收购Adesto）、富士通、Microchip（美国微芯科技公司）和索尼作为独立产品消费，而新唐则在微控制器中消费，另外还有许多公司正在开发ReRAM工艺。 在商业化上，Crossbar、昕原半导体、松下、Adesto、Elpida、东芝、索尼、美光、海力士、富士通等厂商都在展开RRAM的研讨和消费。 在代工厂方面，中芯国际、台积电和联电都曾经将RRAM归入自己未来的展开幅员中，目前已量产的海外RRAM存储器主要有Adesto的130纳米CBRAM和松下的180纳米RRAM。 据悉，松下在2013年开端出货RRAM，成为世界第一家出货RRAM的公司。接着，松下与富士通分离推出了第二代RRAM技术，基于180纳米工艺。而Adesto则不时在迟缓地出货低密度CBRAM。 此外，昕原半导体在Crossbar的基础上完成了技术中心升级和工艺制程的改进，完成28纳米量产，并且已建成自己的首条量产线，具有了垂直一体化存储器设计加制造的才干；兆易创新和Rambus则宣布协作树立合资企业合肥睿科微，中止RRAM技术的商业化，但目前还无量产音讯。 |
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