|
直径约10厘米、厚度只需0.35毫米……近日，在国度第三代半导体技术创新中心（苏州）（下称“国创中心”），记者见到仅三张A4纸厚度的碳化硅晶片，容貌虽小，却能爆发出大能量。 “这是第三代半导体的关键中心资料之一，看着不起眼，却是个实打实的节能高手。我们正在中止分离攻关，用它为新能源汽车打造国产‘功率芯’。”江苏第三代半导体研讨院院长徐科说。 党的二十大讲演强调，以国度战略需求为导向，集聚力气中止原创性引领性科技攻关，坚决打赢关键中心技术攻坚战。以碳化硅、氮化镓等为代表的第三代半导体资料，在航空航天、新能源、光伏、5G通讯等范畴有着普遍的应用前景。“目前，我国在第三代半导体范畴与其他国度处在同一同跑线上，加快关键中心技术攻关，我们完整有机遇在国际创新网络中争得优势位置。”徐科表示。 筑巢引凤，磁聚英才—— “揭榜挂帅”加速技术突破 “中国正加速奔驰在新能源这条新赛道上，我们中止的车规级碳化硅功率芯片与模块分离研发项目，主要看中的就是电动汽车的庞大市场。”苏州中瑞宏芯半导体有限公司CEO张振中博士通知记者，自己从瑞典国度研讨院辞任回国后，不时寻求在国内落地产业化的机遇。经过多地调研调查，去年，张振中将创业公司落在苏州工业园区。在苏州，他遇到了徐科。当时，张振中已组成一支控制碳化硅资料制备、芯片设计、制造工艺等中心技术的海归团队，而国创中心也正在积极引进海内外优秀团队、规划碳化硅范畴的研发和产业化，双方一拍即合！ 在国创中心的支持下，张振中积极牵头参与车规级芯片“揭榜挂帅”项目。项目目的，是做出性能抵达世界一流水平的碳化硅MOSFET芯片，产品应用则要完成一切车规级的认证规范。 由于精准对接产业和市场，该项目惹起国内头部电动汽车企业的兴味。 “2020年我们就组建功率模块开发团队，担任碳化硅功率模块及碳化硅功率芯片的开发及工业化，以增强新能源汽车中心部件的自主研发才干。”该企业功率模块开发担任人说，在产品开发过程中，他们也积极寻求协作同伴，“江苏的半导体技术与产业展开具有一定优势，和国创中心等团队协作，能够统筹各自优势，打通碳化硅功率模块产业链上下游资源。” 在张振中看来，此次的分离攻关中，国创中心发挥了强大的磁吸才干。“项目把资料端、消费端、应用端都整合起来，构成技术应用的闭环。”来自海外团队、科研院所、企业、高校的多方力气参与“结协作战”。 “从目前测试来看，6英寸碳化硅MOSFET芯片各方面性能指标高，牢靠性强，接下来可进入工程化量产考证阶段。”徐科说。 从单兵作战到分离攻坚—— 集中最优秀力气补齐短板 近年来，江苏以攻克一批关键中心技术为突破口，不时提升创新水平，涌现一批国际领跑或并跑的先进技术。省科技厅的数据显现：我国15.1%的领跑技术散布在江苏，1/5的高技术产品出口来自“江苏制造”。 车规级碳化硅MOSFET芯片的突破性成果，便是我省聚焦产业创新严重战略需求，综合运用“揭榜挂帅”“分离攻关”等研发方式，坚决打好关键中心技术攻坚战的一个缩影。 “这些研发方式也是经过多年行业积聚、长期探求出来的。”徐科坦言，以前做项目多数是“散装”的，高校院所研讨出成果、拿到专利，但对接到企业有难度、转化有难度，“看起来播下了很多种子，但很难长大为参天大树。” 如何改动这种局面？“要在产业链上找到最单薄环节，集中最优秀的力气攻克它。”徐科以为，科技创新是一个相似“打补丁”的过程，“我们任务就是弥补创新链条的缺乏，精准嫁接、打通需求，补齐短板。” 在国创中心，技术委员会仔细梳理产业久远展开必须处置的技术难题，再组织上下游团队协力攻关。当项目还是一颗“种子”的时分，就曾经被规划好明晰的长大途径，需求研发出什么技术、技术怎样转化、未来怎样用都了如指掌。 “每个项目会有不同的任务偏重点，以至每个偏重点都有两到三个团队相互竞争，最终用‘赛马’方式选择出最优团队。”徐科说，好比车规级碳化硅MOSFET芯片项目就有三个课题，引进的团队既有做资料的，也有搞设计的、做工艺的、做封装测试的。“没有一个单独的团队能够包打天下，结协作战效率最高。” 在这样的科技攻关方式下，优秀的团队不时碰撞出新的火花。自去年4月启动树立以来，仅一年半时间，国创中心就在6英寸氮化镓单晶、6英寸碳化硅基氮化镓、8英寸硅基氮化镓资料制备方面取得重要突破，部分技术指标抵达国际抢先。 从落后于人到抢占先机—— 打造顶尖科研平台争取话语权 “引进优秀团队是国创中心的中心任务之一。党的二十大讲演中提出，必须坚持科技是第一消费力、人才是第一资源、创新是第一动力。”徐科以为，科技创新的竞争，归根结底是人才的竞争。要想引得凤凰来，必须搭建最顶尖的公共科研平台，“第三代半导体是高精尖行业，要有一流的设备战争台支撑高水平团队展开科技攻关。” 目前国内，第三代半导体范畴尚缺乏从资料端到应用端的全链条创新平台。“我们应该抢占先机。”徐科说，不少高校、企业的实验室，就某一资料或工艺能够做到世界抢先，但没有向下游延伸的条件，无法支持全链条创新。国创中心开足马力，已树立好资料研发平台、器件工艺平台、测试剖析平台及模块设计平台，可完成从晶圆消费、芯片制造到芯片封测的全流程支持。“有完备的上下游产业链、一流的研发平台以及政策支持体系，第三代半导体研发方向的团队在这里能够立马上手。” “这里有相抢先进的设备仪器。”张振中回想，当时研发的产品有一处总是微漏电，尝试很多措施都没能查出缘由，后来经过国创中心的资料剖析平台找到症结所在，圆满处置问题。 为引进优秀团队，国创中心还与高校、企业共建一批分离研发中心、实验室、人才培育基地。仅今年6月，就分别与南京大学集成电路学院、西安电子科技大学、深圳市思坦科技有限公司、苏州晶湛半导体有限公司等共建8家分离研发中心，在微显现巨集成、氮化镓功率微波、超高分辨率Micro-LED、硅基氮化镓资料等方向展开关键中心技术攻关。 “第三代半导体还处于展开初期，国内外基本都站在同一同跑线上。”徐科说，目前第三代半导体在国际上还未构成技术规范体系，我国有机遇超越，弥补第一代、第二代半导体落后于人的遗憾。国创中心已蓄势待发，将制定第三代半导体规范工艺体系作为未来展开目的之一，力争在国际创新网络中取得话语权。 同时，国创中心将继续积极引进国际顶尖团队，承担严重研发项目，培育一批具有中心竞争力的创新企业，打造贯串全产业链的公共效劳平台体系，为我国第三代半导体产业展开提供更多严重源头技术供给，勇当科技和产业创新开路先锋。 新华日报·交汇点记者 蔡姝雯 张宣 程晓琳 张琳
|
名表回收网手机版
