美国出口管制，ASML为什么敢说不？

今年1月，佳能珠海工厂在成立行将32周年之前，宣布了关闭的音讯。这家珠海工厂是佳能在华15家公司中独一具备数码摄像机、传感器和镜头消费才干的基地，此次珠海工厂的关闭意味着佳能彻底把相机消费线移出了中国大陆。而10月，佳能又宣布将在日本栃木县新建一座光刻设备厂，这是21年来佳能初次新建光刻设备新工厂，目的将当前产能进步一倍，计划2023年开工，2025年春季开端运营。

一边是不在中国造相机，一边是要在日本造光刻机。两相对比，恐怕既能够解读成常见的“产业链转移出中国”式危言，也能够解读成“中国半导体强敌环伺”的耸听。但有没有第三种可能？

在美国对中国技术出口管制愈加猖獗之时，更多ASML的潜在竞争者们发力光刻机范畴，到底是福是祸？在美国多轮出口管制下，市场还能否消化更多的光刻机？中国半导体产业链，还能否达观起来？

光刻技术的进步

相比于ASML的垄断位置，佳能光刻机的影响还是太小。即便新增部分产能，但假如数量未几，制程也不够先进的话，关于行业格局来说也掀不起风浪。

而且，佳能此次新建光刻机工厂发布的总投资也就是500亿日元，约合人民币24.38亿元。相比于国内动辄百亿元以上范围的半导体产业各类产线投资，如此少的投资范围，又能制造出水平如何的光刻机？

佳能一家光刻机工厂的投资，以至还没有ASML一台EUV光刻机贵。据路透社报道，ASML最新一代0.55 NA EUV光刻机的订价，曾经较上一代提价两倍多，抵达近4亿美圆，这以至超越了佳能新光刻机工厂的总投资。

一台设备抵得上佳能一个产线的投资，而ASML每年销售的EUV光刻机数量，总数也抵达数百台之多——固然并非每台都那么贵，但昂贵的EUV也占领了最高比例。ASML三季报就显现，当季完成营收57.78亿欧元，其中EUV光刻机营收占比高达51％。

EUV光刻机由于单台售价高，销售套数倒并不高。三季度ASML共售出86台光刻机，依照工艺先进性排序，EUV、ArFi、ArF Dry、KrF、i-line五类光刻机分别售出12、20、6、38 和 10 套。因而，可计算出EUV单台平均售价2.46亿欧元。而三季度ASML新增订单89亿欧元中，也有38亿欧元订单来源于EUV光刻机。

光刻机按光源技术进步次序可分为紫外光（UV）、深紫外光（DUV）、极紫外光（EUV）三大类，其中DUV作为光刻机三大类之一，又分为浸入式和干式两类。浸入技术是指让镜头和硅片之间的空间浸泡于液体之中，如纯水折射率1.44，可使激光的实践波长会大幅度减少，如ArF（氟化氩） immersion浸入式光刻机，比干式光刻机愈加先进，第一台浸入式光刻机2004年才问世；而干式技术主要包含ArF dry干式光刻机、KrF（氟化氪）光刻机。

ArF dry干式光刻机的光源波长为193nm，在经过超纯水折射后的ArFi浸入式光刻机能够做到等效134nm，而EUV光刻机的光源波长更是能够降低到13.5纳米的水平。

采用UV光源的则是比较低端的光刻机，如i-line光刻机就属于UV，在i-line之下还有更低端的h-line、g-line光刻机等。i-line、h-line、g-line光刻机我们曾经完成国产，而ASML外售的光刻机最低也是i-line起步，三季报显现其i-line光刻机营收仅占1％。

从1960年代的接触式光刻机、接近式光刻机，到1970年代主流的投影式光刻机、1980年代主流的步进式光刻机（发明于1978年，用于0.35μm到0.25μm工艺）、1990年代的步进式扫描光刻机（用于≤0.18μm工艺），再到2004年浸入式光刻机呈现、2015第一台EUV光刻机托付——光刻机的展开赂乎每隔十年左右都会呈现一代突破性技术，但突破性技术并不意味着后来者弯道超车或者换道超车的可能。

由于新类型光刻机的展开并不意味着上一代光刻机的废弃，只是意味着其从先进制程变成成熟制程。同时，光刻机的壁垒也越来越高，各种关键零部件如光源等独家垄断者也与ASML结成联盟，简直不给后来者机遇。

1990年代末到21世纪初曾经演出过的ASML逆袭光刻机龙头尼康的故事，也很难再次发作。

群雄依次逐鹿

尼康是ASML崛起之前的光刻机霸主，而在尼康之前，霸主则是美国GCA（GCA Corp，前身为Geophysical Corporation of America）公司。

从1978年推出第一台步进式光刻机，不时到20世纪80年代后期，GCA不时坚持着光刻机范畴龙头的位置。GCA 公司1978年收入为 6200 万美圆，而步进式光刻机给GCA营收带来6年5倍的疾速增长，到1984年，营收曾经高达3.09亿美圆。

这也让GCA 管理层对未来十分达观，一方面，向新范畴中止多元化拓展，例如投入巨资研发机器人技术；另一方面，积极扩产光刻机项目，准备在1985年以每台超越100万美圆的价钱出卖500到600台步进式光刻机。

但1985年，半导体产业进入周期下行，当年GCA公司仅出货了100多台光刻机；存货过多招致GCA负债1.14 亿美圆，而当时公司账上只需300万美圆现金，曾经资不抵债。GCA就此衰退，1988年被通用信号公司（General Signal）以 7500万至8000万美圆的价钱收购。

但收购并没有挽救GCA，原本市场份额最高的位置勉强维持到1990年后终于被尼康超越。1993年，GCA公司关闭了其马萨诸塞州工厂。在被收购的五年中，GCA公司从美国政府支持的 Sematech 财团取得了超越 6000万美圆的资金，用于在技术研发上抵御尼康和佳能。

但公司扩展决策恰逢产业周期下行，加上技术实力不如尼康，GCA就此衰退、消亡，以至连名字都没有剩下。往常的同名公司GCA Corp，是Houlihan Lokey旗下一家从事并购咨询的投行，与历史上大名鼎鼎的GCA公司曾经没有任何关系。

在20世纪80年代后期，美国伊顿公司（Eaton Corporation）称光刻机项目永远无法盈利，曾经在1986年放弃了自己与GCA竞争的步进式光刻机项目；瓦里安公司（Varian Associates）更是早在1985年就放弃了制造电子束光刻机的项目。Perkin-Elmer、Ultratech Stepper（General Signal的子公司）等其他小公司的步进式光刻机项目固然还在苦苦坚持，但在面临尼康、佳能的竞争时优势也不大。

美国国度半导体公司（National Semiconductor Corporation）副总裁Jim Owens在1987年就指出，在GCA失败之后，固然国度半导体公司从尼康、佳能那里采购海外最先进的光刻机暂时还没有遇到问题，但谁能够保障，“他们不时能卖给我们最先进的设备？他们能否会为了维持自己的竞争优势而将落后一代以至更多的光刻机设备卖给我们？”

80年代美国产业人士的这一设问，恰恰也是今天的我们所面临的问题。我们只能买落后一代、两代以上的光刻机——美国为了维持自己的竞争优势，只允许ASML卖非先进制程光刻机给我们。

而这种危害，在1987年1月《纽约时报》的一份征引美国军方观念的报道中更是一针见血、对中国也值得自创：GCA落后于尼康、佳能所招致的美国芯片配备衰落，其危害水平之高，相当于美国丧失了制造枪支的才干。

在1984年GCA正处于衰退前的最高峰、而尼康曾经崭露头角行将反超之时，但谁能想到，螳螂捕蝉黄雀在后，日后的霸主ASML也恰于1984年在荷兰降生了。

1995年，ASML在光刻机范畴的市场份额还仅占14％；但2000年，市场份额就曾经上升到30％，仅次于尼康；2002年，市场份额上升到47％，第一次并不时持续至今地超越了尼康。

实践上，固然尼康被ASML反超是2002年发作的事情，但尼康的悲剧命运，从1997年英特尔和美国能源部牵头成立“极紫外联盟”（EUV LLC）却将尼康扫除在外时，就提早书写好了。原本在此之前，DUV光源技术的“浸润式”和“干式”技术道路之争，尼康的“干式”败给ASML的“浸润式”；在EUV光源时期更被美国“爸爸”直接扫除在外，从此，江湖位置就“大哥变小弟”地无法逆转了。

技术突破与企业反超常常发作在低谷

就像1980年代中后期尼康开端反超GCA并在1990年终于大幅度超越GCA的过程，发作于半导体行业下行周期；2002年ASML以47％市场份额超越尼康，同样发作在一个下行周期之年。

据 Dataquest 数据，2002 年全球光刻行业的总销售额抵达 28.3 亿美圆，比 2001 年降落 26％。而尼康的市场份额从 2001 年的 39.4％ 降落到 2002 年的 27.5％，营收从 2001 年的 14.9 亿美圆降至 7.73亿美圆。

佳能公司的市场份额萎缩更快，从 2001 年的 31.2％ 降落到 2002 年的 17.8％。美国 Ultratech Stepper公司份额从 2001 年的 0.6％ 降落到 2002年的0.4％，曾经没有了影响力。

那么，2022年及未来几年，会是半导体的下行周期吗？特别是在美国对话连续多轮史上最严厉的出口管制带来全行业的达观预期下。

固然ASML CEO温彼得（Peter Wennink）在三季报业绩会上表示，出口管制构成的影响相当有限，“仅有5％的未托付订单将会遭到出口管制影响”。

ASML首席财务官 Roger Dassen也表示，ASML作为一家欧洲公司，工具中并没有太多美国技术。但 Dassen招认，与几个月前相比，目前行业的不肯定性十分高，“一些客户以低于我们之前所见过的最低产能应用率运转着我们的设备，我们也在很长一段时间以来第一次看到，有客户推迟了他们希望取得我们设备的首选时间。”

不外Dassen同时强调，大多数芯片制造商依旧希望尽快取得ASML的设备，“有客户央求说假如其他客户提出延迟需求时，他们愿意更早取得这些可能会延迟托付的设备。”

Dassen没有明白说提出延迟的是哪些客户，央求将他人不着急托付的设备提早拿到手的是哪些客户。但来自中国大陆的客户肯定比台积电等客户更希望早取得设备。

为了提振自信心，ASML还宣布到 2025 年，将年制造才干进步到每年 600 个 DUV 和 90 个 0.33-NA EUV 系统。

而2021年，ASML售出共EUV、DUV（包含ArFi、ArF Dry、KrF）、UV（i-line）五个类别光刻机共209台光刻机，其中高端EUV光刻机更是高达42台。在最高端的EUV范畴，ASML占领了100％的市场；此外，在ArFi和ArF光刻机范畴，也分别占领96％和88％的市场。

2025年ASML仅DUV、EUV就抵达690台的扩产计划，是2021年销量的3.3倍。4年3.3倍的增长，像极了当年GCA公司6年5倍的增长。当年的GCA盛极而衰，但ASML当然不会简单重复历史。

不外，台积电作为ASML最大的客户，其总裁魏哲家近日却在内部信中稀有地鼓舞员工休假。台积电先前已证明，7nm（N7／N6）产能应用率进入四季度后就开端下滑，估量下滑趋向将持续到2023年上半年；同时今年的资本支出从约440亿美圆两次分别下调40亿美圆，目前降至约360亿美圆，已缩减两成。

同时，更多技术道路也在涌现。据报道，美国一家旨在开发和商业化原子精密制造 （APM） 技术的公司Zyvex Labs 就在9月份宣布推出了全球分辨率最高的亚纳米分辨率光刻系统“ZyvexLitho1”，绕过EUV光刻技术，运用电子束光刻（EBL）方式制造出具有0.768nm线宽（相当于2个硅原子的宽度）的芯片，精度远超EUV光刻机。

俄罗斯科学院下诺夫哥罗德应用物理研讨所（IPF RAS）也宣布正在研发俄罗斯首套半导体光刻设备，估量2028年问世，能够消费出7nm芯片。不外俄罗斯的预期估量太过达观，哪怕曾经投入巨资提早多年研发的中国，也不能保障2028年将国产光刻机工艺水平进步到消费7纳米制程芯片。

此外，多电子束直写光刻机（MEB）、定向自组装技术（DSA）、nm压印技术（NIL）等不同新技术也曾经在实验室中测试。固然这些新技术距离量产还很远，但ASML最初，也同样是从实验室里走出来的。

假如从地道国度意志的角度，在中国半导体产业曾经有一定基础的状况下，长期来看，7纳米及以下先进制程光刻机肯定总有一天能够研发出来，或许突破了EVU光源技术，或者采用其他更新的技术。但这种“长期必定会”的结论，关于加深人们对行业的了解并没有实践意义。

美国一轮又一轮出口管制下，长期意义的达观并不能缓解短期的达观。人们也亟需看到一个好音讯，来为长期意义上的达观提供更多佐证。

其实最近就有一个可能微缺乏道的好音讯。

此前在10月7日美国出口管制新规中，128层及以上的NAND闪存芯片制造设备增加新的答应证请求，其实是为长江存储量身定制的。

由于在追逐世界最先进NAND闪存技术的路上，长江存储此前刚完成128层NAND闪存，但三星曾经完成192层NAND闪存，美光更是在5月发布全球首个 232 层堆栈的3D NAND芯片。只需将长江存储压制在128层的技术“五指山”下，那么其未来展开就很难跳出美国的手掌心。

但长江存储却在10 月 26 日没有大张旗鼓地在某电商平台，推出了致态固态硬盘新品TiPlus7100。值得留意的是，该款固态硬盘采用长江存储自研 232 层NAND闪存颗粒，Xtacking3.0架构。

而美光固然在5月全球最早发布了232 层NAND闪存，但采用该闪存颗粒的固态硬盘还要2023年才干发布。由于从颗粒到整合多个组件最终商业化量产固态硬盘，是需求阅历较长时间磨合的。

能够全球最先完成商业化量产232层NAND 闪存的固态硬盘，这自身就意味着长江存储曾经站在了闪存颗粒的第一梯队。而这是在美国多轮管制与制裁下，完成的率先突破。

说回光刻机——冲破美国封锁的堤坝，可能并不需求千军万马齐争先，可能也一定需求中国光刻机技术超越ASML。哪怕仅仅是半导体产业链中如闪存颗粒这一小切口行进了一步，让水能够涌出，启齿慢慢扩展，那么就有希望挟全行业之势能最终冲垮那座看似强大的堤坝。

来源：亿欧网